高通基于台积电45nm工艺制造的芯片完成首次呼叫

    无线技术和数据解决方案厂商美国高通公司(Qualcomm)日前宣布已使用以45纳米(nm)工艺技术制造的3G芯片完成首次呼叫。作为新一代的CMOS半导体制造技术，45纳米技术可提高芯片的速度、降低功耗、提高集成度，并通过增加每片晶圆的裸片数以降低裸片成本。高通公司的此次呼叫使用了台湾积体电路制造股份有限公司(TSMC)的首款45纳米芯片。
    
    “凭借我们与代工合作伙伴TSMC紧密的战略合作关系，高通公司能够利用尖端的半导体工艺技术推动无线通信的发展。”高通CDMA技术集团产品管理高级副总裁史蒂夫·莫伦科夫(Steve Mollenkopf)表示，“这一具有里程碑意义的呼叫表明了我们在为市场提供新一代芯片方面的进展，这种芯片将为用户提供良好的性能和功能。”
    
    
    “高通公司采用TSMC的45纳米工艺3G芯片实现的首次呼叫成功，是提倡端到端协作的集成代工模式的最好例证。两家公司在设计和技术方面的协作努力让产品以更快的速度上市。”TSMC第二运营部的资深副总裁刘德音表示，“高通公司的设计和TSMC的技术和制造能力的组合将持续确保未来的进一步成功。”
    
    
    高通公司最近推出了低功耗优化的45纳米工艺技术。这种工艺技术利用先进的浸入式光刻技术和超低k介电层材料，能够提供极具竞争力的性能、更高的成本效益、更好的防漏电性和更高的集成度。此外，高通公司正在开发40纳米工艺技术，将为半导体性能、成本和效率创造更大的优势。