新日本无线(NJR)已研发成功适用于采用CMOS RFIC的800MHz CDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6。
利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RFIC很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器。 NJG1127HB6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800MHz的CDMA手机的设有旁通电路的低噪声放大器。
NJG1127HB6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了IIP3=+8dBm min. @f=880MHz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对RF信号进行增幅，NJG1127HB6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流(低增益模式)。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对RF信号进行增幅(高增益模式)。对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换。
该公司已于2006年11月开始发放NJG1127HB6样品，2007年1月开始正式投入生产，投产后预定月产量为50万只，样品价格为50日元。
