2006年包括衬底、外延、芯片、封装 四个环节的中国LED产值达到105.5亿元，其中封装环节产值达到87.5亿元。
2006年，中国LED芯片产量达到309.3亿个，产值达到11.9亿元。
国内高亮度芯片产量出现井喷式增长，在经历了2003—2005年产量增长率超过100%的快速增长期后，2006年高亮度芯片产量继续保持过100%的增长速度，增长率达到101.4%，芯片产值率也达到45.0%
国内产量：
2005年，国内GaN基外延片生产能力已经达到3.51万片/月，实际芯片产出在2.4亿颗/月，约占到国内芯片用量的10%左右。
从规模上看，内地GaN基芯片产量仅相当于我国一家台湾芯片公司的产能，内地芯片市场被台湾芯片主导。
2005年已生产LED芯片约180亿只，其中高亮度芯片达60多亿只，蓝光芯片20多亿只。2006年预计高亮度芯片产量将超120亿只，增长率为100%，其中蓝光芯片约为30多亿只。
国内的科研单位：
LED的核心技术是外延、芯片制造技术，特别是高亮度LED和功率LED的核心技术。有关政府部门及相关大学、研究所、企业均高度重视，投入大量资金、人力加以研究、开发和产业化，主要研究机构有：北大、清华、南昌大学、中科院半导体所、物理所、中电13所、华南师大、北京工大、深圳大学、山东大学、南京大学等，在技术上主要解决硅衬底上生长GaN外延层、GaN基蓝光波长漂移、提高内量子效率和出光效率、提高抗光衰能力和功率芯片的散热水平等等。
目前已研发1W的功率LED芯片可产业化，其发光效率为30lm～40lm/W，最高可达47.5lm/W，单个器件发射功率为150mW，最高可达189mW。南昌大学近年来开展在硅衬底上生长GaN外延材料研究，该成果取得突破性进展，最近通过“863”项目验收，并获得多项有自主产权的国际发明专利。已研发的蓝光芯片发射功率达7mW～8mW，最好为9mW～10mW，芯片成品率为80%，功率LED芯片在350mA下发射功率为100mW～150mW，最好可达150mW。在500mA、1000小时通电试验下，蓝光的光衰小于5%。
国内LED外延、芯片的主要企业有：
厦门三安、大连路美、深圳方大、上海蓝光、上海蓝宝、山东华光、江西联创、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、杭州士蓝明芯、杨州华夏集成，甘肃新天电公司等。这些企业近年来在研发和工艺技术改进方面做了大量工作，在提高产品性能、成品率、工艺重复性、抗光衰和可靠性等方面做了大量工作，取得较好成果，保障了LED芯片的批量生产。
2005年已生产LED芯片约180亿只，其中高亮度芯片达60多亿只，蓝光芯片20多亿只。2006年预计高亮度芯片超过120亿只，增长率为100%，其中蓝光芯片约为30多亿只。
